IPP320N20N3GXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP320N20N3GXKSA1 von Infineon und IPB35N10S3L26ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP320N20N3GXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,36 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS-T
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
Gehäuse TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole —
Montageart Through Hole Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (3 + Tab) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C —
Channel Type N-Channel N-Channel
Element Configuration Single —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
MSL-Level Not applicable (through-hole) —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

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