IPP320N20N3GXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP320N20N3GXKSA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP320N20N3GXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,36 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS-T
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
Encapsulamento TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Número de pinos 3 (3 + Tab) —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Channel Type N-Channel N-Channel
Element Configuration Single —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Nível MSL Not applicable (through-hole) —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Fichas técnicas e recursos

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