IPT007N06NATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT007N06NATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT007N06NATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,84 $0,54
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (TJ) -55°C to +150°C
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
MSL-Level MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes Yes
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W

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