IPT015N10N5ATMA1 vs IPT026N10N5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT015N10N5ATMA1 von Infineon und IPT026N10N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT015N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,78 $1,87
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 Trench (OptiMOS 5)
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Single with built-in diode
Betriebstemperatur -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 27 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.6 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) — 214 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Terminals — 8
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: typical Qg]

Datenblätter & Ressourcen

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