IPT015N10N5ATMA1 vs IPT026N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10N5ATMA1 par Infineon et IPT026N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,78 $1,87
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 Trench (OptiMOS 5)
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Single with built-in diode
Température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 27 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.6 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) — 214 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Terminals — 8
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: typical Qg]

Fiches techniques et ressources

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