IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon und IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IPT017N12NM6ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,85 | $3,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| Gehäuse | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | -55C to +175C | — |
| Pin-Anzahl | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Einzelpuls-Avalanche-Energie | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |