IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon et IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT017N12NM6ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $3,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Nombre de broches | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |