IPT026N10N5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT026N10N5ATMA1 von Infineon und IPT015N10N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT026N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,87 $2,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode Single
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS™ 5
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Betriebstemperatur — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

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