IPT026N10N5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT026N10N5ATMA1 par Infineon et IPT015N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPT015N10N5ATMA1 - 100V 300A 1.5mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
IPT015N10N5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPT026N10N5ATMA1 | IPT015N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,87 | $2,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 27 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) | 214 W | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | Single |
| Number of Terminals | 8 | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS™ 5 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Part Number | — | IPT015N10N5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 300 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.5 mΩ |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Gate Threshold VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| Output Capacitance (Coss) | — | Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | — | Up to 43% reduction |
| Packaging | — | Tape & Reel |