IPT059N15N3ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT059N15N3ATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT059N15N3ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $0,62
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) -55 C to +175 C
Pin-Anzahl 8 + exposed source tab —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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