IPT059N15N3ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT059N15N3ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT059N15N3ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $0,62
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) -55 C to +175 C
Nombre de broches 8 + exposed source tab —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fiches techniques et ressources

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