IPT059N15N3ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT059N15N3ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT059N15N3ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $0,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Encapsulamento PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) -55 C to +175 C
Contagem de pinos 8 + exposed source tab —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação