IPTC039N15NM5ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPTC039N15NM5ATMA1 von Infineon und IRF1310NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPTC039N15NM5ATMA1 IRF1310NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,05 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Betriebstemperatur -55 C to +175 C (junction) —
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) D2PAK (TO-263AB)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench IR MOSFET (HEXFET)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
RoHS-Status Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

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