IPTC054N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPTC054N15NM5ATMA1 von Infineon und IQE220N15NM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPTC054N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,52 $2,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IPT family) OptiMOS 5
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 17.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 143 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 250 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A 5.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 4.6 V
Total Gate Charge (Qg) typical 58 nC —
Forward Body Diode Voltage (VSD) 0.83 V —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
Montageart Surface Mount (top-side cooled) Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Technology — OptiMOS 5, Source-Down
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)

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