IPTC054N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPTC054N15NM5ATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPTC054N15NM5ATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,52 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 (IPT family) | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 17.5 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 143 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 250 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 5.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | 4.6 V |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 58 nC | — |
| Forward Body Diode Voltage (VSD) | 0.83 V | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount (top-side cooled) | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Technology | — | OptiMOS 5, Source-Down |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |