IQE013N04LM6ATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE013N04LM6ATMA1 von Infineon und ISZ033N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE013N04LM6ATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,68
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 5
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 2.35 V max @ 30 uA
Gehäuse PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C

Datenblätter & Ressourcen

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