IQE013N04LM6ATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon et ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE013N04LM6ATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,68 |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 2.35 V max @ 30 uA |
| Boîtier | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 109 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |