IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE018N06NM6CGATMA1 von Infineon und IQEH54NE2LM7UCGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE018N06NM6CGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $1,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-TTFN-9-3
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55C to +150C (typical MOSFET range)
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 —
RoHS Compliance Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 52 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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