IQE036N08NM6ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE036N08NM6ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE036N08NM6ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typical 3.6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Gehäuse PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (junction, per datasheet) -55C to +175C (junction)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse, per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Pin-Anzahl — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datenblätter & Ressourcen

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