IQE036N08NM6ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE036N08NM6ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE036N08NM6ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typical 3.6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Boîtier PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (junction, per datasheet) -55C to +175C (junction)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse, per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Nombre de broches — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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