IQE036N08NM6ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE036N08NM6ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE036N08NM6ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typical 3.6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Encapsulamento PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (junction, per datasheet) -55C to +175C (junction)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse, per datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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