IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE050N08NM5CGSCATMA1 von Infineon und IQE050N08NM5CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $1,75
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Source-Down)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, typical) —
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Betriebstemperatur — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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