IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE050N08NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,75
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Source-Down)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, typical) —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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