IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE050N08NM5CGSCATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE050N08NM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +175 C
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
MSL-Level 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
RoHS-Status — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datenblätter & Ressourcen

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