IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE050N08NM5CGSCATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE050N08NM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
Nível MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Status RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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