IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE050N08NM5CGSCATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE050N08NM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +175 C
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
Niveau MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Statut RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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