IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE065N10NM5CGSCATMA1 von Infineon und IQE050N08NM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,28 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A 16 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 (trench)
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55C to +175C (junction, typical)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 99 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
MSL-Level — 1

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