IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE065N10NM5CGSCATMA1 por Infineon e IQE050N08NM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,28 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A 16 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 (trench)
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +175C (junction, typical)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 99 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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