IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 von Infineon und BSC014NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,78 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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