IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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