IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon e BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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