IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQEH54NE2LM7UCGATMA1 von Infineon und IQE018N06NM6CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,95 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 6 60V
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (typical MOSFET range) -55C to +175C (junction)
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS 6
RoHS Compliance — Compliant

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