IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 6 60V
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Boîtier PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (typical MOSFET range) -55C to +175C (junction)
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS 6
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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