IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQEH54NE2LM7UCGATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5LF2ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,95 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3 V
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] 90 nC
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (typical MOSFET range) —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

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