IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5LF2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3 V
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] 90 nC
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (typical MOSFET range) —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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