IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQEH54NE2LM7UCGATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5LF2ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ АктивенInfineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | ISC015N06NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,95 | $2,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 406 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 150 W | — |
| Корпус | PG-TTFN-9-3 | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 3 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] | 90 nC |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (typical MOSFET range) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 275 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 217 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.55 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage Rating | — | ±20 V |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 1.3 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 6.9 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 1.3 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 55 pF |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS | — | Compliant |