IR2109SPBF vs IR2010SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2109SPBF von Infineon und IR2010SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2109SPBF IR2010SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $1,20
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (independent high/low-side outputs)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Anstiegszeit 200 ns —
Abfallzeit 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse SOIC-8 16-SOIC (SOIC-16)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Logic Input Compatibility — CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
Betriebstemperatur — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

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