IR2109SPBF vs IR2010SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2109SPBF par Infineon et IR2010SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2109SPBF IR2010SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $1,20
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (independent high/low-side outputs)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Temps de montée 200 ns —
Temps de descente 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier SOIC-8 16-SOIC (SOIC-16)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Logic Input Compatibility — CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
Température de fonctionnement — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

Fiches techniques et ressources

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