IR2109SPBF vs IR2304SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2109SPBF von Infineon und IR2304SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2109SPBF IR2304SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,48
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Anstiegszeit 200 ns —
Abfallzeit 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse SOIC-8 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Anzahl der Ausgänge — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Datenblätter & Ressourcen

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