IR2109SPBF vs IR2304SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2109SPBF por Infineon e IR2304SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2109SPBF IR2304SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,48
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Tempo de subida 200 ns —
Tempo de descida 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de junção de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento SOIC-8 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Número de saídas — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Fichas técnicas e recursos

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