IR2109SPBF vs IR2304SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2109SPBF par Infineon et IR2304SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2109SPBF IR2304SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,48
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Temps de montée 200 ns —
Temps de descente 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier SOIC-8 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Nombre de sorties — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Both High-Side and Low-Side Channels
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic

Fiches techniques et ressources

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