IR21271STRPBF vs IR2127STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21271STRPBF von Infineon und IR2127STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21271STRPBF IR2127STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,82 $0,71
Configuration High-Side or Low-Side High-Side
Anzahl der Ausgänge 1 1
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns typical 200 ns (typical)
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns (typical)
Abfallzeit [DATA_NEEDED: fall time] 60 ns (typical)
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (3.90 mm body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) Pb-free (PBF), RoHS compliant
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) Yes (cycle-by-cycle comparator)
dV/dt Immunity Yes Yes (high-side floating channel)
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Input Logic — Non-Inverting
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
MSL-Level — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

Datenblätter & Ressourcen

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