IR21271STRPBF vs IR2127STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21271STRPBF por Infineon y IR2127STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21271STRPBF IR2127STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,82 $0,71
Configuration High-Side or Low-Side High-Side
Número de salidas 1 1
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns typical 200 ns (typical)
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns (typical)
Tiempo de bajada [DATA_NEEDED: fall time] 60 ns (typical)
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (3.90 mm body)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) Pb-free (PBF), RoHS compliant
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) Yes (cycle-by-cycle comparator)
dV/dt Immunity Yes Yes (high-side floating channel)
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Input Logic — Non-Inverting
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

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