IR21271STRPBF vs IR2127STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21271STRPBF par Infineon et IR2127STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21271STRPBF IR2127STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,82 $0,71
Configuration High-Side or Low-Side High-Side
Nombre de sorties 1 1
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns typical 200 ns (typical)
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns (typical)
Temps de descente [DATA_NEEDED: fall time] 60 ns (typical)
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (3.90 mm body)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) Pb-free (PBF), RoHS compliant
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) Yes (cycle-by-cycle comparator)
dV/dt Immunity Yes Yes (high-side floating channel)
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Input Logic — Non-Inverting
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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