IR21271STRPBF vs IRS2005STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21271STRPBF von Infineon und IRS2005STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21271STRPBF IRS2005STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,82 $0,18
Configuration High-Side or Low-Side —
Anzahl der Ausgänge 1 2
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range min/max]
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time] —
Abfallzeit [DATA_NEEDED: fall time] —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Funktion — Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Channel Type — Independent
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.6 A
Undervoltage Lockout — VCC and VBS UVLO integrated
Input Compatibility — 3.3 V / 5 V logic-level inputs
Gehäuse / Bauform — 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +125 °C
Packaging — Tape & Reel (TR)
Product Status — Active
RoHS-Status — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)

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