IR21271STRPBF vs IRS2005STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR21271STRPBF por Infineon y IRS2005STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR21271STRPBF IRS2005STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,82 $0,18
Configuration High-Side or Low-Side —
Número de salidas 1 2
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range min/max]
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time] —
Tiempo de bajada [DATA_NEEDED: fall time] —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Función — Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Channel Type — Independent
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.6 A
Undervoltage Lockout — VCC and VBS UVLO integrated
Input Compatibility — 3.3 V / 5 V logic-level inputs
Encapsulado / Carcasa — 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 °C to +125 °C
Packaging — Tape & Reel (TR)
Product Status — Active
Estado RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)

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