IR21271STRPBF vs IRS2005STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21271STRPBF par Infineon et IRS2005STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21271STRPBF IRS2005STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,82 $0,18
Configuration High-Side or Low-Side —
Nombre de sorties 1 2
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range min/max]
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: fall time] —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Fonction — Half-Bridge Gate Driver
Driven Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Channel Type — Independent
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.6 A
Undervoltage Lockout — VCC and VBS UVLO integrated
Input Compatibility — 3.3 V / 5 V logic-level inputs
Boîtier / Format — 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Plage de température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
Packaging — Tape & Reel (TR)
Product Status — Active
Statut RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)

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