IR21531STRPBF vs IR2011STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21531STRPBF von Infineon und IR2011STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21531STRPBF IR2011STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,70 $0,71
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Independent)
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Anstiegszeit 80 ns —
Abfallzeit 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 C to +125 C
Gehäuse 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS-Status Compliant (ROHS3) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

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