IR21531STRPBF vs IR2011STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR21531STRPBF от Infineon и IR2011STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR21531STRPBF IR2011STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,70 $0,71
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Independent)
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Количество выходов 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Время нарастания 80 ns —
Время спада 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Рабочая температура -40C to +125C -40 C to +125 C
Корпус 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Статус RoHS Compliant (ROHS3) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену