IR2304SPBF vs IR2101PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2304SPBF von Infineon und IR2101PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2304SPBF IR2101PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,78
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High and Low Side)
Anzahl der Ausgänge 2 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Gehäuse 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Montageart Surface Mount Through-Hole
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Packaging — Tube

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